【{$randkws}】传芯半导体公开用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机专利 - {$web_name} 依据专利说明书

　　集微网讯息，全国知识产权局站点此前公开了上海传芯半导体有限企业“揭露成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机”发明专利申请。

　　依据专利说明书，该发明提供一种用于EUV光刻的预测Netflix合集揭露成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，快速话题讨论专题揭露成像结构含有第一反射式光掩模版和第二反射式光掩模版，揭露光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射的光线另外包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案，以经由组合投影图案在晶圆上做到一次性揭露。



　　说明书说明，这一专利揭露成像结构由于第一反射式掩模图形与第二反射式掩模图形被物理分离，最新跑分成绩盘点可以使得相邻掩模图形边缘没有光相互作用（如散射、反射或表面等离子体激元效应SPP等），可以有效消除临近图形所导致的晶圆上的图案缺陷，光刻工艺的聚焦平板电脑观察分辨率和对比度得到较大的提升，晶圆上的图案缺陷（如圆角、核心尺寸（CD）缩减和端部内缩等）得到显著改进，另外使用一次性揭露便可在晶圆上获得完整的图案，光刻工艺的过程也得到简化。

　　针对EUV光源，说明书中给出的实施例显示，所述光源结构含有等离子体光源，由气体或蒸气形成，例如氙气、锂蒸气或锡蒸气，经由30千瓦功率的二氧化碳激光器每秒2次轰击雾化的锡（Sn）金属液滴（其中，锡金属液滴以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷出），将锡（Sn）蒸发成等离子体，经由高价锡离子能级间的跃迁获得13.5nm波长的EUV光线。